首頁(yè)常見(jiàn)問(wèn)題 振蕩電路和晶振之間匹配時(shí)最適當(dāng)?shù)臓顟B(tài)是什么
振蕩電路和晶振之間匹配時(shí)最適當(dāng)?shù)臓顟B(tài)是什么
來(lái)源：http://www.lnjyxx.com 作者：億金電子 2019年08月21
對(duì)于作為無(wú)源元件的晶體單元,必須優(yōu)化客戶電路的振蕩條件.億金電子確認(rèn)并評(píng)估客戶電路和晶體單元之間的匹配,并提出最佳條件.
指標(biāo)由電路評(píng)審服務(wù)確認(rèn),檢查振蕩電路和晶振之間匹配時(shí)最適當(dāng)?shù)臓顟B(tài)是什么?它主要可以從以下觀點(diǎn)來(lái)評(píng)估.
1.或晶體振蕩器是穩(wěn)定的振蕩
2.頻率或瞄準(zhǔn)如預(yù)期
3.它是否異常振蕩（例如:頻率變化超過(guò)預(yù)期,在室溫下以穩(wěn)定頻率振蕩,但在低溫或高溫下跳躍）
以下三個(gè)指標(biāo)用于上述匹配評(píng)估：
1.石英晶體振蕩器是否穩(wěn)定振蕩⇒負(fù)電阻
2.頻率是否符合預(yù)期⇒振蕩頻率的差異
3.是否異常振蕩⇒驅(qū)動(dòng)電平
使用這些指標(biāo)進(jìn)行評(píng)估,并在最佳振蕩條件下試驗(yàn)晶振的電路常數(shù)（電容和電阻值）,以便在確定的推薦值和標(biāo)準(zhǔn)值以及客戶所需的特性值不滿足時(shí)改善匹配通過(guò),我們應(yīng)該考慮的問(wèn)題.
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<術(shù)語(yǔ)表>
*負(fù)電阻-R：通過(guò)消除石英晶體單元的電阻R來(lái)振蕩電路的能力
*石英晶體振蕩頻率F：取決于負(fù)載電容的特性CL
*驅(qū)動(dòng)電平DL：晶振晶體單元的電阻R耗電量
指標(biāo)由電路評(píng)審服務(wù)確認(rèn),檢查振蕩電路和晶振之間匹配時(shí)最適當(dāng)?shù)臓顟B(tài)是什么?它主要可以從以下觀點(diǎn)來(lái)評(píng)估.
1.或晶體振蕩器是穩(wěn)定的振蕩
2.頻率或瞄準(zhǔn)如預(yù)期
3.它是否異常振蕩（例如:頻率變化超過(guò)預(yù)期,在室溫下以穩(wěn)定頻率振蕩,但在低溫或高溫下跳躍）
以下三個(gè)指標(biāo)用于上述匹配評(píng)估：
1.石英晶體振蕩器是否穩(wěn)定振蕩⇒負(fù)電阻
2.頻率是否符合預(yù)期⇒振蕩頻率的差異
3.是否異常振蕩⇒驅(qū)動(dòng)電平
使用這些指標(biāo)進(jìn)行評(píng)估,并在最佳振蕩條件下試驗(yàn)晶振的電路常數(shù)（電容和電阻值）,以便在確定的推薦值和標(biāo)準(zhǔn)值以及客戶所需的特性值不滿足時(shí)改善匹配通過(guò),我們應(yīng)該考慮的問(wèn)題.
*負(fù)電阻-R：通過(guò)消除石英晶體單元的電阻R來(lái)振蕩電路的能力
*石英晶體振蕩頻率F：取決于負(fù)載電容的特性CL
*驅(qū)動(dòng)電平DL：晶振晶體單元的電阻R耗電量
正在載入評(píng)論數(shù)據(jù)...
此文關(guān)鍵字： 晶振電路常數(shù)晶振負(fù)電阻
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