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首頁進(jìn)口晶振CSX-252T振蕩器,西鐵城進(jìn)口晶振,寶安壓控溫補(bǔ)振蕩器

CSX-252T振蕩器,西鐵城進(jìn)口晶振,寶安壓控溫補(bǔ)振蕩器

頻率：19.2~38.4MHZ
尺寸：2.5X2.0mm 具體參數(shù)請閱覽PDF文檔
應(yīng)　用： 最適用于無線局域網(wǎng),已實(shí)現(xiàn)低相位噪聲,低電壓,低消費(fèi)電流和高穩(wěn)定度,超小型,質(zhì)量輕,纏帶包裝方式可對應(yīng)自動(dòng)搭載及IR回流焊接無鉛對應(yīng),為無鉛產(chǎn)品.

CSX-252T振蕩器,西鐵城進(jìn)口晶振,寶安壓控溫補(bǔ)振蕩器,貼片式石英晶體振蕩器,低電壓啟動(dòng)功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無鉛.

項(xiàng)目	記號	CSX-252T	條件
頻率	f_nom	19.2~38.4MHZ
頻率容許偏差	f_tol	±20x10−6, ±50x10−6
頂點(diǎn)溫度	Ti	+25±5°C
二級溫度系數(shù)	B	(−3.5±1.0)x10−8/°C2
負(fù)載容量	CL	7.0pF/9.0pF/12.5pF
串聯(lián)電阻	R1	65kÙ 最大值
絕對最大激勵(lì)等級	DLmax.	1μW
推薦激勵(lì)等級	DL	0.1μW
并聯(lián)電容	C0	0.8pF 典型值
頻率老化程度	f_age	±3x10-6	+25±3°C，第一年
工作溫度范圍	T_use	-30°C～+75°C
保存溫度范圍	T_stg	-40°C～+85°C	單件保管

西鐵城晶振在產(chǎn)品應(yīng)用中頻率偏差超過要求怎么辦呢？

我們可以改善的頻率輸出的偏差超過范圍由以下幾個(gè)方法：

調(diào)整外部電容,Cd和CG的值.如果由頻率計(jì)數(shù)器測量頻率比目標(biāo)頻率高,要增加外部電容CL（或Cd以及C 8的值）,以降低頻率到我們的目標(biāo)頻率,反之亦然.

可以采用不同負(fù)載電容（CL）的晶體試用. 試用晶體具有較低電容若頻率比目標(biāo)頻率超高很多的話.請檢查波形幅度是否是正常或不使用示波器,正確的電容是通過和頻率調(diào)節(jié)到目標(biāo)之后.根據(jù)該波形振幅收縮,由于增加外部電容,請使用方法2調(diào)整頻率（較低的外部電容,并采用低電容的晶體）的情況.頻率輸出頻率的目標(biāo)只有三分之一.

西鐵城科技股份有限公司藉由環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)的推動(dòng)執(zhí)行,以整合內(nèi)部資源,奠定經(jīng)營管理的基礎(chǔ).藉執(zhí)行環(huán)境考量面/安衛(wèi)危害鑒別作業(yè),環(huán)境/安衛(wèi)管理方案和內(nèi)部稽核為手段,合理化推動(dòng)環(huán)境/安衛(wèi)管理,落實(shí)環(huán)境/安衛(wèi)系統(tǒng)有效實(shí)施.并不斷透過教育訓(xùn)練灌輸員工環(huán)境/安衛(wèi)觀念及意識,藉由改善公司制程以達(dá)到污染預(yù)防、工業(yè)減廢、安全與衛(wèi)生、符合法規(guī)要求使企業(yè)永續(xù)發(fā)展減少環(huán)境/安衛(wèi)負(fù)擔(dān),并滿足客戶需求,獲得客戶的信賴而努力.

聯(lián)系人：黃娜

公司：深圳市億金電子有限公司
SHENZHEN YIJIN ELECTRONICS CO;LTD
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