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億金電子有限公司

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首頁晶振行業(yè)動(dòng)態(tài) TRANSKO水晶應(yīng)用筆記

TRANSKO水晶應(yīng)用筆記

來源：http://www.lnjyxx.com 作者：億金電子 2022年05月27
訂購水晶時(shí)需要提供哪些基本信息？
一般我們要求客戶提供標(biāo)稱頻率、切割角度類型（AT/BT）、支架或封裝類型、電阻（ESR）、頻率公差、
頻率穩(wěn)定性，負(fù)載電容，工作溫度范圍，驅(qū)動(dòng)功率，老化等。客戶也可以在下訂單時(shí)指定其他特定規(guī)格或要求（如果有）。
531EC622M080DG Silicon晶振 Si531 622.08MHz 2.5V ±7ppm
531FC622M080DG Silicon晶振 Si531 622.08MHz 2.5V ±7ppm
531FC311M040DG Silicon晶振 Si531 311.04MHz 2.5V ±7ppm
530BC311M040DG Silicon晶振 Si530 311.04MHz 3.3V ±7ppm
531BC622M080DG Silicon晶振 Si531 622.08MHz 3.3V ±7ppm
531FC312M500DG Silicon晶振 Si531 312.5MHz 2.5V ±7ppm
530EC622M080DG Silicon晶振 Si530 622.08MHz 2.5V ±7ppm
531EC312M500DG Silicon晶振 Si531 312.5MHz 2.5V ±7ppm
530BC622M080DG Silicon晶振 Si530 622.08MHz 3.3V ±7ppm
531AC250M000DG Silicon晶振 Si531 250MHz 3.3V ±7ppm
530AC311M040DG Silicon晶振 Si530 311.04MHz 3.3V ±7ppm
530FC312M500DG Silicon晶振 Si530 312.5MHz 2.5V ±7ppm
531EC250M000DG Silicon晶振 Si531 250MHz 2.5V ±7ppm
530AC312M500DG Silicon晶振 Si530 312.5MHz 3.3V ±7ppm
530EC250M000DG Silicon晶振 Si530 250MHz 2.5V ±7ppm
530AC250M000DG Silicon晶振 Si530 250MHz 3.3V ±7ppm
530FC250M000DG Silicon晶振 Si530 250MHz 2.5V ±7ppm
530BC312M500DG Silicon晶振 Si530 312.5MHz 3.3V ±7ppm
531BC312M500DG Silicon晶振 Si531 312.5MHz 3.3V ±7ppm
530FC50M0000DG Silicon晶振 Si530 50MHz 2.5V ±7ppm
535AB125M000DG Silicon晶振 Si535 125MHz 3.3V ±20ppm
501AAA27M0000DAF Silicon晶振 Si501 27MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501AAA27M0000DAG Silicon晶振 Si501 27MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501JCA100M000CAG Silicon晶振 Si501 100MHz 3.3V ±20ppm
501JCA100M000BAG Silicon晶振 Si501 100MHz 3.3V ±20ppm
501HCAM032768BAF Silicon晶振 Si501 32.768kHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501BCAM032768DAG Silicon晶振 Si501 32.768kHz 3.3V ±20ppm
501JCAM032768DAG Silicon晶振 Si501 32.768kHz 3.3V ±20ppm
SI50122-A1-GM Silicon晶振 SI50122-A1 100MHz 2.25 V ~ 3.63 V +100ppm
SI50122-A2-GM Silicon晶振 SI50122-A2 100MHz 2.25 V ~ 3.63 V +100ppm
頻率容差和頻率穩(wěn)定性之間的主要區(qū)別是什么？
有時(shí)，如果客戶指定，“參考”頻率可能指的是標(biāo)稱（規(guī)格）頻率。
頻率穩(wěn)定性通常以百萬分之幾(ppm)表示。
晶振的頻率容差定義為在指定溫度（通常為+25°C（-2°C
511SAA100M000AAG Silicon晶振 Si511 100MHz 1.8V ±50ppm
510BCA148M500BAG Silicon晶振 Si510 148.5MHz 3.3V ±20ppm
530AA156M250DG Silicon晶振 Si530 156.25MHz 3.3V ±50ppm
531AA156M250DG Silicon晶振 Si531 156.25MHz 3.3V ±50ppm
530FB100M000DG Silicon晶振 Si530 100MHz 2.5V ±20ppm
511FBA125M000AAG Silicon晶振 Si511 125MHz 2.5V ±25ppm
530BC125M000DG Silicon晶振 Si530 125MHz 3.3V ±7ppm
535AB156M250DG Silicon晶振 Si535 156.25MHz 3.3V ±20ppm
536FB125M000DG Silicon晶振 Si536 125MHz 2.5V ±20ppm
510BBA74M2500BAG Silicon晶振 Si510 74.25MHz 3.3V ±25ppm
511ABA125M000BAG Silicon晶振 Si511 125MHz 3.3V ±25ppm
510BBA100M000BAG Silicon晶振 Si510 100MHz 3.3V ±25ppm
511ABA100M000BAG Silicon晶振 Si511 100MHz 3.3V ±25ppm
510FBA125M000AAG Silicon晶振 Si510 125MHz 2.5V ±25ppm
510ABA100M000AAG Silicon晶振 Si510 100MHz 3.3V ±25ppm
511BBA200M000AAG Silicon晶振 Si511 200MHz 3.3V ±25ppm
531BC106M250DG Silicon晶振 Si531 106.25MHz 3.3V ±7ppm
531EC125M000DG Silicon晶振 Si531 125MHz 2.5V ±7ppm
511ABA74M2500BAG Silicon晶振 Si511 74.25MHz 3.3V ±25ppm
510FBA74M2500BAG Silicon晶振 Si510 74.25MHz 2.5V ±25ppm
510ABA100M000BAG Silicon晶振 Si510 100MHz 3.3V ±25ppm
510FBA100M000AAG Silicon晶振 Si510 100MHz 2.5V ±25ppm
511BBA74M2500AAG Silicon晶振 Si511 74.25MHz 3.3V ±25ppm
511ABA106M250AAG Silicon晶振 Si511 106.25MHz 3.3V ±25ppm
510ABA148M500BAG Silicon晶振 Si510 148.5MHz 3.3V ±25ppm
511BBA155M520BAG Silicon晶振 Si511 155.52MHz 3.3V ±25ppm
510ABA156M250BAG Silicon晶振 Si510 156.25MHz 3.3V ±25ppm
510FBA156M250BAG Silicon晶振 Si510 156.25MHz 2.5V ±25ppm
511FBA000110BAG Silicon晶振 Si511 148.35165MHz 2.5V ±25ppm
510BBA155M520AAG Silicon晶振 Si510 155.52MHz 3.3V ±25ppm
510BBA000110AAG Silicon晶振 Si510 148.35165MHz 3.3V ±25ppm
511ABA000110AAG Silicon晶振 Si511 148.35165MHz 3.3V ±25ppm
511BBA000110AAG Silicon晶振 Si511 148.35165MHz 3.3V ±25ppm
511FBA000110AAG Silicon晶振 Si511 148.35165MHz 2.5V ±25ppm
510BBA212M500BAG Silicon晶振 Si510 212.5MHz 3.3V ±25ppm
當(dāng)晶體不在規(guī)范規(guī)定的溫度范圍內(nèi)工作時(shí)，其性能會(huì)發(fā)生什么變化？
晶振性能會(huì)受到影響。我們強(qiáng)烈不建議這樣做。它會(huì)導(dǎo)致晶體的頻率漂移。更糟糕的情況是它可能導(dǎo)致客戶電路發(fā)生故障。
511ABA212M500BAG Silicon晶振 Si511 212.5MHz 3.3V ±25ppm
511BBA212M500BAG Silicon晶振 Si511 212.5MHz 3.3V ±25ppm
511FBA212M500AAG Silicon晶振 Si511 212.5MHz 2.5V ±25ppm
510BBA200M000AAG Silicon晶振 Si510 200MHz 3.3V ±25ppm
511BBA212M500AAG Silicon晶振 Si511 212.5MHz 3.3V ±25ppm
510ABA200M000AAG Silicon晶振 Si510 200MHz 3.3V ±25ppm
511ABA200M000AAG Silicon晶振 Si511 200MHz 3.3V ±25ppm
530EC125M000DG Silicon晶振 Si530 125MHz 2.5V ±7ppm
531FC106M250DG Silicon晶振 Si531 106.25MHz 2.5V ±7ppm
531FC187M500DG Silicon晶振 Si531 187.5MHz 2.5V ±7ppm
531FC000110DG Silicon晶振 Si531 148.35165MHz 2.5V ±7ppm
531EC200M000DG Silicon晶振 Si531 200MHz 2.5V ±7ppm
531AC000110DG Silicon晶振 Si531 148.35165MHz 3.3V ±7ppm
531AC148M500DG Silicon晶振 Si531 148.5MHz 3.3V ±7ppm
535EB156M250DG Silicon晶振 Si535 156.25MHz 2.5V ±20ppm
510CBA25M0000BAG Silicon晶振 Si510 25MHz 3.3V ±25ppm
511SBA156M250BAG Silicon晶振 Si511 156.25MHz 1.8V ±50ppm
501JAA24M0000DAF Silicon晶振 Si501 24MHz 3.3V ±50ppm
501BAA16M0000DAF Silicon晶振 Si501 16MHz 3.3V ±50ppm
501JAA24M0000CAF Silicon晶振 Si501 24MHz 3.3V ±50ppm
501AAA27M0000CAF Silicon晶振 Si501 27MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501AAA25M0000BAF Silicon晶振 Si501 25MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501JAA40M0000CAF Silicon晶振 Si501 40MHz 3.3V ±50ppm
501AAA24M0000BAF Silicon晶振 Si501 24MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501EAA48M0000CAF Silicon晶振 Si501 48MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501AAA27M0000BAF Silicon晶振 Si501 27MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501EAA48M0000BAF Silicon晶振 Si501 48MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501JAA25M0000BAF Silicon晶振 Si501 25MHz 3.3V ±50ppm
501BAA50M0000BAF Silicon晶振 Si501 50MHz 3.3V ±50ppm
501AAA50M0000CAF Silicon晶振 Si501 50MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
什么是AT或BT削減？
-Crystal主要具有其“頻率穩(wěn)定性”特性，這是由于如何將石英棒以某個(gè)預(yù)先定向的角度切割成晶體晶片的結(jié)果。今天最流行和廣泛使用的一種是AT-Cut。
AT-cut在Y軸負(fù)方向上與Z軸的切削角約為35X15'，而BT切削在Y軸正方向上與Z軸的切削角為-45X。為了便于理解，下面顯示了兩個(gè)切割的圖表。
501EAA48M0000DAG Silicon晶振 Si501 48MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501AAA25M0000DAG Silicon晶振 Si501 25MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501HCA27M0000DAF Silicon晶振 Si501 27MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501ABA8M00000BAF Silicon晶振 Si501 8MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±30ppm
501HCA12M0000DAF Silicon晶振 Si501 12MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501JCA24M0000DAF Silicon晶振 Si501 24MHz 3.3V ±20ppm
501AAA24M0000BAG Silicon晶振 Si501 24MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501BCA16M0000BAF Silicon晶振 Si501 16MHz 3.3V ±20ppm
501JCA24M0000CAF Silicon晶振 Si501 24MHz 3.3V ±20ppm
501HCA26M0000BAF Silicon晶振 Si501 26MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501JAA25M0000BAG Silicon晶振 Si501 25MHz 3.3V ±50ppm
501BCA16M0000CAF Silicon晶振 Si501 16MHz 3.3V ±20ppm
501EAA48M0000CAG Silicon晶振 Si501 48MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501BAA16M0000BAG Silicon晶振 Si501 16MHz 3.3V ±50ppm
501BAA16M0000CAG Silicon晶振 Si501 16MHz 3.3V ±50ppm
501JAA24M0000BAG Silicon晶振 Si501 24MHz 3.3V ±50ppm
501AAA27M0000BAG Silicon晶振 Si501 27MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501ACA10M0000CAF Silicon晶振 Si501 10MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501JAA40M0000BAG Silicon晶振 Si501 40MHz 3.3V ±50ppm
501ACA10M0000BAF Silicon晶振 Si501 10MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501JCA10M0000BAF Silicon晶振 Si501 10MHz 3.3V ±20ppm
501HCA12M0000BAF Silicon晶振 Si501 12MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501JCA25M0000CAF Silicon晶振 Si501 25MHz 3.3V ±20ppm
501HCA27M0000BAF Silicon晶振 Si501 27MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501AAA50M0000BAG Silicon晶振 Si501 50MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501ABA8M00000BAG Silicon晶振 Si501 8MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±30ppm
501HCA27M0000DAG Silicon晶振 Si501 27MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501ABA8M00000CAG Silicon晶振 Si501 8MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±30ppm
501JCA10M0000BAG Silicon晶振 Si501 10MHz 3.3V ±20ppm
501ACA10M0000BAG Silicon晶振 Si501 10MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501JCA20M0000CAG Silicon晶振 Si501 20MHz 3.3V ±20ppm
501BCA16M0000BAG Silicon晶振 Si501 16MHz 3.3V ±20ppm
501BCA16M0000CAG Silicon晶振 Si501 16MHz 3.3V ±20ppm
501JCA100M000DAF Silicon晶振 Si501 100MHz 3.3V ±20ppm
501JCA100M000CAF Silicon晶振 Si501 100MHz 3.3V ±20ppm
什么是拉力？
晶體的牽引能力是作為負(fù)載電容函數(shù)的頻率變化的量度。
電路設(shè)計(jì)人員可以通過改變或改變晶體的負(fù)載電容來實(shí)現(xiàn)工作頻率范圍。工作頻率范圍由晶體在給定（變化）負(fù)載電容范圍內(nèi)的牽引能力決定。
501JCA100M000BAF Silicon晶振 Si501 100MHz 3.3V ±20ppm
501JCAM032768DAF Silicon晶振 Si501 32.768kHz 3.3V ±20ppm
501HCAM032768DAF Silicon晶振 Si501 32.768kHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501JCAM032768CAF Silicon晶振 Si501 32.768kHz 3.3V ±20ppm
501BCAM032768BAF Silicon晶振 Si501 32.768kHz 3.3V ±20ppm
501BCAM032768CAF Silicon晶振 Si501 32.768kHz 3.3V ±20ppm
501BCAM032768CAG Silicon晶振 Si501 32.768kHz 3.3V ±20ppm
500DLAA125M000ACF Silicon晶振 Si500D 125MHz 2.5V ±150ppm
500DLAA200M000ACF Silicon晶振 Si500D 200MHz 2.5V ±150ppm
510CBA100M000BAGR Silicon晶振 * - - -
510CBA125M000BAGR Silicon晶振 * - - -
510CBA25M0000BAGR Silicon晶振 * - - -
510GBA100M000BAGR Silicon晶振 * - - -
510GBA125M000BAGR Silicon晶振 * - - -
510GBA25M0000BAGR Silicon晶振 * - - -
510CBA100M000AAGR Silicon晶振 * - - -
510CBA125M000AAGR Silicon晶振 * - - -
510CBA25M0000AAGR Silicon晶振 * - - -
510GBA100M000AAGR Silicon晶振 * - - -
510GBA125M000AAGR Silicon晶振 * - - -
510CBA156M250BAGR Silicon晶振 * - - -
510GBA156M250BAGR Silicon晶振 * - - -
510CBA156M250AAGR Silicon晶振 * - - -
510GBA156M250AAGR Silicon晶振 * - - -
510CBA100M000BAG Silicon晶振 * - - -
什么是雜散頻率？
晶體可能以與其基頻或泛音頻率無關(guān)的頻率振動(dòng)。這種不需要的頻率被稱為雜散頻率。
在晶體設(shè)計(jì)和制造階段，可以通過改變晶片尺寸、電極圖案設(shè)計(jì)和調(diào)整晶片上的金屬化來抑制雜散頻率的影響。
510CBA125M000BAG Silicon晶振 * - - -
510GBA100M000BAG Silicon晶振 * - - -
510GBA125M000BAG Silicon晶振 * - - -
510GBA25M0000BAG Silicon晶振 * - - -
510CBA100M000AAG Silicon晶振 * - - -
510CBA125M000AAG Silicon晶振 * - - -
510CBA25M0000AAG Silicon晶振 * - - -
510GBA100M000AAG Silicon晶振 * - - -
510GBA125M000AAG Silicon晶振 * - - -
510ABA100M000BAGR Silicon晶振 Si510 100MHz 3.3V ±25ppm
510ABA125M000BAGR Silicon晶振 Si510 125MHz 3.3V ±25ppm
510BBA100M000BAGR Silicon晶振 Si510 100MHz 3.3V ±25ppm
510BBA125M000BAGR Silicon晶振 Si510 125MHz 3.3V ±25ppm
510FBA100M000BAGR Silicon晶振 Si510 100MHz 2.5V ±25ppm
510FBA125M000BAGR Silicon晶振 Si510 125MHz 2.5V ±25ppm
511ABA100M000BAGR Silicon晶振 Si511 100MHz 3.3V ±25ppm
511ABA125M000BAGR Silicon晶振 Si511 125MHz 3.3V ±25ppm
511BBA100M000BAGR Silicon晶振 Si511 100MHz 3.3V ±25ppm
511BBA125M000BAGR Silicon晶振 Si511 125MHz 3.3V ±25ppm
511FBA100M000BAGR Silicon晶振 Si511 100MHz 2.5V ±25ppm
511FBA125M000BAGR Silicon晶振 Si511 125MHz 2.5V ±25ppm
510ABA106M250BAGR Silicon晶振 Si510 106.25MHz 3.3V ±25ppm
510BBA106M250BAGR Silicon晶振 Si510 106.25MHz 3.3V ±25ppm
511ABA106M250BAGR Silicon晶振 Si511 106.25MHz 3.3V ±25ppm
511BBA106M250BAGR Silicon晶振 Si511 106.25MHz 3.3V ±25ppm
511FBA106M250BAGR Silicon晶振 Si511 106.25MHz 2.5V ±25ppm
510ABA000149BAGR Silicon晶振 Si510 74.175824MHz 3.3V ±25ppm
510ABA74M2500BAGR Silicon晶振 Si510 74.25MHz 3.3V ±25ppm
510BBA000149BAGR Silicon晶振 Si510 74.175824MHz 3.3V ±25ppm
510BBA74M2500BAGR Silicon晶振 Si510 74.25MHz 3.3V ±25ppm
雜散頻率會(huì)產(chǎn)生什么影響？
當(dāng)雜散模式的信號(hào)電平與主模式一樣強(qiáng)時(shí)，振蕩器可能會(huì)在雜散模式而不是主模式上運(yùn)行。這種現(xiàn)象稱為模式跳變。
雜散模式通常定義為對主模式的電阻比或dB抑制。為了避免大多數(shù)振蕩器的模式跳變，需要與主模式的電阻比為1.5或2.0。這大約相當(dāng)于主模式下的-3dB至-6dB信號(hào)抑制。
510FBA000149BAGR Silicon晶振 Si510 74.175824MHz 2.5V ±25ppm
510FBA74M2500BAGR Silicon晶振 Si510 74.25MHz 2.5V ±25ppm
511ABA000149BAGR Silicon晶振 Si511 74.175824MHz 3.3V ±25ppm
511ABA74M2500BAGR Silicon晶振 Si511 74.25MHz 3.3V ±25ppm
511BBA000149BAGR Silicon晶振 Si511 74.175824MHz 3.3V ±25ppm
511BBA74M2500BAGR Silicon晶振 Si511 74.25MHz 3.3V ±25ppm
511FBA000149BAGR Silicon晶振 Si511 74.175824MHz 2.5V ±25ppm
511FBA74M2500BAGR Silicon晶振 Si511 74.25MHz 2.5V ±25ppm
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510ABA106M250AAGR Silicon晶振 Si510 106.25MHz 3.3V ±25ppm
為什么HC-49S晶體的拉力不如HC-49U晶體？
晶體的牽引能力通常與晶體坯上形成的電極尺寸有關(guān)。更大尺寸的晶體坯當(dāng)然可以容納更大的電極。HC-49S的毛坯尺寸比HC-49U小。
當(dāng)晶體與振蕩電路中給定的負(fù)載電容串聯(lián)放置時(shí)，較大的電極通常會(huì)提供更寬的頻率牽引范圍。
510BBA106M250AAGR Silicon晶振 Si510 106.25MHz 3.3V ±25ppm
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510ABA000110BAGR Silicon晶振 Si510 148.35165MHz 3.3V ±25ppm
什么是負(fù)載電容（CL）？
晶體的作用是放置在振蕩電路中工作，以產(chǎn)生所需的振蕩頻率。當(dāng)晶體位于振蕩電路中時(shí)，它會(huì)在晶體的兩個(gè)端子引線處看到一個(gè)“負(fù)載電容”。這種負(fù)載電容是出現(xiàn)在或呈現(xiàn)給晶體的整個(gè)振蕩電路的等效電容效應(yīng)。
510ABA148M500BAGR Silicon晶振 Si510 148.5MHz 3.3V ±25ppm
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